به نقل از دیجیکالا:
سامسونگ به‌تازگی در رابطه با برنامه‌های خود برای تولید و عرضه‌ی نسل بعدی حافظه‌های DRAM که شامل موارد مختلفی نظیر GDDR7 ،DDR5 ،LPDDR5X و V-NAND می‌شوند صحبت کرد.
سامسونگ به‌تازگی از برنامه‌های خود برای عرضه‌ی حافظه‌های DRAM جدید در راستای بهبود عملکرد در زمینه‌های مختلف از جمله پایگاه داده، سرورها، گوشی‌های هوشمند، گیمینگ و خودروها، صحبت کرد. اینطور که به نظر می‌رسد، این شرکت قصد دارد سه حافظه‌ی DRAM مختلف را در آینده‌ای نزدیک رونمایی و راهی بازار کند که یکی از آن‌ها حافظه‌ی DDR5 با سرعت ۳۲ گیگابیت به ازای هر چیپ است که دو برابر ظرفیت بیشتر در مقایسه با مدل ۱۶ گیگابیتی موجود دارد و عملکرد آن ۳۳٪ در مقایسه با حافظه‌ی ۲۴ گیگابیتی DDR5 ICs سریع‌تر است.
این شرکت کره‌ای همچنین در رابطه با برنامه‌های خود برای عرضه‌ی نخستین حافظه‌ی پرسرعت GDDR7 هم صحبت کرد و مدعی شد که این نوع حافظه ۳۶ گیگابیت بر ثانیه سرعت دارد. بدین ترتیب، فناوری یادشده ۵۰٪ سرعت بیشتری در مقایسه با حافظه‌ی ۲۴ گیگابیتی GDDR6 خواهد داشت. با سرعت ۳۶ گیگابیت بر ثانیه، پهنای باند در رابط ۳۸۴ بیتی به ۱٫۷ ترابایت بر ثانیه می‌رسد. این میزان در رابط ۲۵۶ بیتی به ۱٫۱۵ ترابایت کاهش پیدا می‌کند که حتی در این حالت هم بسیار بیشتر از چیزی است که اکنون و با فناوری GDDR6X مایکرون که در کارت‌های سری RTX 40 انویدیا استفاده شده شاهد هستیم.
سومین حافظه هم مربوط به حافظه‌ی رم گوشی‌های هوشمند و اولترابوک‌ها است که از نوع LPDDR5X و با سرعت ۸٫۵ گیگابیت بر ثانیه خواهند بود. اینطور که به نظر می‌رسد، در سال ۲۰۲۳ به احتمال زیاد این محصولات باید به حافظه‌های رم با فناوری یادشده مجهز شوند.
در نهایت هم سامسونگ در رابطه با بهبود سرعت تراشه‌های V-NAND صحبت کرد. سامسونگ در نظر دارد تراشه‌های ۱Tb TLC V-NAND را از اواخر سال ۲۰۲۲ در دسترس قرار دهد. همچنین تولید نسل نهم تراشه‌ی V-NAND هم در دستور کار سامسونگ قرار گرفته و گفته می‌شود در سال ۲۰۲۴ شاهد عرضه‌ی نخستین محصول مجهز به آن خواهیم بود.
منبع: NotebookCheck